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    HJ5210 高溫P-溝道增強型功率MOSFET

    HJ5210具有開關速度快、導通電阻低、電流能力強、柵電容小、使用環境溫度高等特點,可廣泛應用于高速功率開關、繼電器驅動器和通用切換應用程序,DC-DC和DC-AC轉換器用于電信、工業和照明設備。可替代IRF5210,且該產品已實現全國產化。

    所屬分類: PMOSFET管



    產品概述

      產品特點有:

      柵源電壓VGS    ±20V                          漏源電壓VDS    -100V

      持續電流ID(TA=+25℃)    -40A         耗散功率PD(TA=+25℃)    200W

                        (TA=+100℃)    -29A        脈沖電流能力IDM    -140A

      工作溫度范圍TA    -55~+175℃           貯存溫度TJ    -55~+175℃

    關鍵詞:
    驅動
    開關
    功率
    電信
    使用
    替代
    應用于
    速度快
    照明設備
    繼電器


    HJ5210 高溫P-溝道增強型功率MOSFET

    HJ5210具有開關速度快、導通電阻低、電流能力強、柵電容小、使用環境溫度高等特點,可廣泛應用于高速功率開關、繼電器驅動器和通用切換應用程序,DC-DC和DC-AC轉換器用于電信、工業和照明設備。可替代IRF5210,且該產品已實現全國產化。
    零售價
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    產品編號
    所屬分類
    PMOSFET管
    型號:
    HJ5210
    驅動持續電流(IC/A):
    -40
    擊穿電壓(VCEO/V):
    -100
    工作溫度 (TA):
    -55~+125
    關鍵參數:
    Ron:60mΩ
    封裝 (Package):
    TO-257
    產品概述:

    HJ5210具有開關速度快、導通電阻低、電流能力強、柵電容小、使用環境溫度高等特點

    數量
    -
    +
    庫存:
    0
    關鍵詞:
    驅動
    開關
    功率
    電信
    使用
    替代
    應用于
    速度快
    照明設備
    繼電器
    1
    產品描述
    參數

      產品特點有:

      柵源電壓VGS    ±20V                          漏源電壓VDS    -100V

      持續電流ID(TA=+25℃)    -40A         耗散功率PD(TA=+25℃)    200W

                        (TA=+100℃)    -29A        脈沖電流能力IDM    -140A

      工作溫度范圍TA    -55~+175℃           貯存溫度TJ    -55~+175℃

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    HJ5210 高溫P-溝道增強型功率MOSFET
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