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HJ540 NMOSFET晶體管

HJ540 是由先進工藝制成的NMOSFET功率晶體管，具有非常低的導通電阻（90mΩ）和快的開關速度。先進制造工藝保證HJ540工作環境溫度達到200 ℃以上。 HJ540采用有BeO基片的TO-257金屬全密封外殼封裝，三個引出端和外殼(散熱器)是絕緣的，外殼可以接任一電位，使用方便，可廣泛應用于驅動繼電器、顯示器、傳感器以及邏輯接口等電路中。

所屬分類: NMOSFET管

產品概述

　　產品特點有：

　　柵源電壓 ±20V 耗散功率（TA=+25℃,加足夠散熱片） 10W

　　工作溫度范圍(TJ) -55~+200℃ 貯存溫度 -55~+200℃

　　持續電流（TA=+25℃) 28A 持續電流(TA=+100℃) 20A

　　脈沖電流 110A 漏源耐壓BVDS ≥100V

關鍵詞:

hj540

外殼

驅動

基片

非常

三個

使用方便

應用于

以上

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HJ1200-080 Sic MOSFET

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HJ8736 N溝道MOSFET

HJ540 NMOSFET晶體管

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產品編號

所屬分類

NMOSFET管

型號:

HJ540

驅動持續電流(IC/A):

擊穿電壓(VCEO/V):

100

工作溫度（TA）:

-55～+125

關鍵參數:

Ron:90mΩ

封裝（Package）:

TO-257

產品概述:

HJ540 是由先進工藝制成的NMOSFET功率晶體管

數量

庫存:

關鍵詞:

hj540

外殼

驅動

基片

非常

三個

使用方便

應用于

以上

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產品描述

參數

　　產品特點有：

　　柵源電壓 ±20V 耗散功率（TA=+25℃,加足夠散熱片） 10W

　　工作溫度范圍(TJ) -55~+200℃ 貯存溫度 -55~+200℃

　　持續電流（TA=+25℃) 28A 持續電流(TA=+100℃) 20A

　　脈沖電流 110A 漏源耐壓BVDS ≥100V

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HJ540 NMOSFET晶體管

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