陜西航晶微電子開發系列SiC MOS管產品
- 分類：新聞資訊
- 作者：南山木
- 來源：
- 發布時間：2016-03-28
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SiC材料的能帶和高溫穩定性使得它在高溫半導體元件方面有無可比擬的優勢。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度可達500℃以上，提供工作于極端環境下的電子系統，在軍用武器系統、航空航太、石油地質勘探等領域應用廣泛。 用SiC材料制作的N-MOS管具有如下特點： 導通電阻（Ron）小→靜態損耗低； 柵電容（Ciss）和柵電荷（Qgs）小→動態損耗低，適
SiC材料的能帶和高溫穩定性使得它在高溫半導體元件方面有無可比擬的優勢。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度可達500℃以上，提供工作于極端環境下的電子系統，在軍用武器系統、航空航太、石油地質勘探等領域應用廣泛。
用SiC材料制作的N-MOS管具有如下特點：
導通電阻（Ron）小→靜態損耗低；
柵電容（Ciss）和柵電荷（Qgs）小→動態損耗低，適合高頻應用；
禁帶寬度大→Tj≥+300℃，BVDSS≥1200V,gfs小；
無栓鎖效應（Latch-up）；
可直接并聯應用；
抗γ輻射能力強；
可廣泛應用于：三相無刷電機驅動
寬輸入范圍Buck－DC/DC
高頻DC/AC驅動
高頻發射單元
針對目前國內外市場需求，陜西航晶微電子有限公司，開發出系列SiC器件，填補了國內在這方面的空白。
1.HJ1200-080：1200V/35A/TO-258封裝
2.HJ1200-160：1200V/20A/TO-258封裝
（可根據用戶要求加工成TO-3、SMD-2封裝）
3.HJ12B28A：1200V/28A三相無刷電機驅動器
4.HJ12B48A：1200V/48A三相無刷電機驅動器
SiC–MOS功率管在高溫下應用存在如下問題：
1.正向跨導（gfs）本身就小，高溫下還要下降；
2.閾值電壓（VGS（th））高溫下降很快，致使0V很難關斷，或者關不斷。
因此驅動SiC-MOS功率管就必須具備:
1.適當提高開啟管子時加到柵－源的電壓VGS以減小導通電阻（Ron），進而減少靜態損耗；
2.管斷管子時在柵－源加負偏壓，以求徹底管斷管子；
3.增大對柵－源充/放電電流，以減小開關損耗，進而減少動態損耗。
航晶微電子的專利產品HJ393全面解決了SiC-MOS管的驅動問題。它具有以下特點：自帶DC/DC完成+5V轉+18V和-5V
輸入/輸出電隔離：
1400V直流隔離電壓；
CMTI≥50KV/µs；
輸出峰值驅動電流≥±1.5A，tr/tf≤50ns；
可接收0~100%占空比的PWM信號；
可實現SiC-MOS/IGBT的負電壓管斷；
fmax≥1MHz，tw≥100ns；
小體積：22x22x5.5mm。
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