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  • HJ393A/B/C耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅動器

    • 分類:公司新聞
    • 作者:航晶微電子
    • 來源:
    • 發布時間:2020-05-11
    • 訪問量:

    航晶微電子研發的HJ393A/B/C耐溫溫SIC-MOSFET驅動器以其優異的耐壓、導通電阻結溫和抗電遷移能力,使之特別適應惡劣環境,且較好的解決了第三代SIC-MOSFET驅動器的缺陷。

     
     
     
     
     

     

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